化學機械拋光是目前最為常見的半導體材料表面平面技術，它是機械摩擦與化學腐蝕相結(jié)合了兩者優(yōu)點的工藝；可以獲得較為完美的晶片表面。硅片在采用陶瓷拋光機進行拋光工序時，影響加工過程中去除速率與加工表面質(zhì)量的因素以以下幾點為主：

化學因素其中包含著：拋光液中的PH值、拋光液的濃度值、流量拋光過程中控制的溫度。其中以拋光液中的PH值對去除率影響最為顯著。有實驗表明隨著拋光液的PH值增大，拋光去除率逐步提高，但是當PH值達到一定值后，去除率會迅速降低，而且表面質(zhì)量也有所下降。所以在硅片拋光過程中選擇適當?shù)腜H值是重要的參數(shù)之一。

在硅片拋光時壓力過小會使機械拋光與化學拋光速度不均衡，形成邊緣腐蝕過快，中間腐蝕慢造成表面平整度下降，當機械拋光速度小于化學拋光速度時，就會出現(xiàn)桔皮波紋或者腐蝕坑等。反之，壓力過大機械拋光速度大于化學拋光速度，表面的平整度提高后則容易出現(xiàn)劃傷，或拋光過程中容易碎片等現(xiàn)象；選擇適當?shù)膾伖鈮毫σ彩枪杵庸み^程中的重要參數(shù)之一。

在拋光過程中拋光墊可以使拋光液均勻分布并且能提供新的拋光液補進，同時排出化學反應產(chǎn)生的異物。在拋光過程中起到穩(wěn)定性、均勻性與重復性的作業(yè)。拋光墊材料選用也是很重要的參數(shù)之一。

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